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IntelliSense 湿法腐蚀设计与工艺平台

时间:2013-11-26 09:10来源:英特神斯 作者:MEMS 点击:
硅的湿法刻蚀工艺。利用IntelliSuite软件中IntelliEtch/Anise/Blueprint模块,通过掩膜版图的设计、硅的湿法腐蚀模拟,可以精确预测实际工艺结果,包括各种标准、非标准晶向硅片。可以得到各种硅结构以及高界面的硅腐蚀结果,为客户提前评估所设计的器件的工

 IntelliSense 湿法腐蚀设计与工艺平台

 

一、设计优势

1、 硅的湿法刻蚀工艺。利用IntelliSuite软件中IntelliEtch/Anise/Blueprint模块,通过掩膜版图的设计、硅的湿法腐蚀模拟,可以精确预测实际工艺结果,包括各种标准、非标准晶向硅片。可以得到各种硅结构以及高界面的硅腐蚀结果,为客户提前评估所设计的器件的工艺性能与可靠性,节省时间和成本。

2、石英的湿法腐蚀工艺。利用IntelliSuite软件中的IntelliEtch/ Blueprint模块,通过掩膜版图的设计、石英的湿法腐蚀模拟,可以精确预测石英的湿法腐蚀后的复杂结构,再结合实际的石英腐蚀可以为客户完成高精度的可靠的石英腐蚀工艺。

3、金属的湿法腐蚀工艺。能够在线检测并精确控制对金、铝、镍、铬等金属的湿法腐蚀工艺。

   


 
 

 
 

                                             湿法腐蚀直接形成三维器件的图例

 二、多样性支持 

1、单面腐蚀夹具和单面ProTek胶保护技术,可以充分保护表面器件层,更加可以避免各种不必要的金属离子沾污;

2KOHTMAH各向异性湿法腐蚀工艺,IntelliSense公司可以控制腐蚀深度精度在±1um级别;

3TMAH各向异性湿法腐蚀工艺,结合IntelliSense公司独有的腐蚀配方,可以得到非常光滑的腐蚀表面; 

4CMOS工艺兼容,CMOS工艺中最致命的杂质就是金属离子,而TMAH可以避免K+等离子沾污,对集成在同一个芯片上的IC电路不造成伤害;

5TMAH腐蚀液不腐蚀SiO2Si3N4,可以选用SiO2Si3N4作为掩模;

6TMAH腐蚀液无毒无污染,操作方便。

 

三、多种工艺的选择

14英寸、6英寸硅圆片各向同性和各向异性腐蚀工艺。

2KOHTMAH等标准腐蚀工艺流程。

34英寸、6英寸硅圆片单面湿法腐蚀,保护背面器件。

4、批量25片硅圆片同时腐蚀。

5、其他RCA 1#RCA2#IC标准清洗工艺。

 

四、精确的工艺控制

1、硅片TMAH腐蚀354um后硅杯底面粗糙度Ra=0.68um,光滑平整。

                   
              
 

2、由于湿法的腐蚀速率快、各向异性差,所以一般不能使用在特征尺寸小于3um的工艺上。干法刻蚀刻蚀具有更好的特征尺寸(Critical Dimension)控制但是设备价格昂贵,投入成本较大,IntelliSense可以提供特征尺寸达到5~7um精度的刻蚀结果并且形貌良好。

 

下图为镍丝湿法腐蚀结果图和CD<7um的检测结果

                
 
 

如有需要请联系我们: 025-66621988 china@intellisense.com

您可前往此链接进行文档下载: http://www.intellisense.com.cn/downlist.asp

 

(责任编辑:MEMS)
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